Giới thiệu Máy phân tích hấp phụ hóa học tự động BSD-Chem C200

Máy phân tích hấp phụ hóa học tự động BSD-Chem C200 là thiết bị tiên tiến, được thiết kế để phân tích đặc tính bề mặt và tính chất hóa lý của vật liệu xúc tác, vật liệu nano, và các chất hấp phụ trong nghiên cứu và công nghiệp. Với khả năng tự động hóa toàn diện và tích hợp công nghệ cao, BSD-Chem C200 đảm bảo độ chính xác, độ lặp lại, và hiệu suất tối ưu trong các thí nghiệm hấp phụ hóa học.

Chức năng chính

1. Phân tích theo chương trình nhiệt độ

• Giải hấp theo chương trình nhiệt độ (TPD): Đánh giá phân bố và cường độ tâm hoạt động thông qua quá trình giải hấp phụ khí (H₂, CO, NH₃, v.v.).

• Giảm nhiệt độ theo chương trình (TPR): Nghiên cứu tính chất khử của vật liệu xúc tác và năng lượng kích hoạt khử.

• Oxy hóa theo chương trình nhiệt độ (TPO): Phân tích khả năng oxy hóa bề mặt và tính chất oxit hóa của vật liệu.

• Phản ứng bề mặt được lập trình theo nhiệt độ (TPSR): Xác định động học và cơ chế phản ứng bề mặt trong điều kiện nhiệt độ thay đổi.

• Lưu huỳnh hóa theo chương trình nhiệt độ (TPS): Nghiên cứu quá trình lưu huỳnh hóa xúc tác, đặc biệt trong các ứng dụng hóa dầu.

2. Chuẩn độ xung

• Thực hiện chuẩn độ xung với các thể tích ống chuẩn (0.5 ml, tùy chọn 1 ml và 5 ml) để xác định diện tích bề mặt kim loại hoạt tính và độ phân tán kim loại.

3. Phân tích động học giải hấp

• Năng lượng hoạt hóa giải hấp (E_d): Xác định năng lượng cần thiết để phá vỡ liên kết hấp phụ.

• Yếu tố tiền mũ (A_d): Đánh giá tần số va chạm của phân tử hấp phụ.

• Thứ tự giải hấp (n): Phân tích cơ chế giải hấp phụ (đơn phân tử hoặc đa phân tử).

4. Phân tích đa điểm nhiệt độ

• Hỗ trợ đo lường tại nhiều mức nhiệt độ để nghiên cứu sự phụ thuộc nhiệt độ của các quá trình hấp phụ và phản ứng.

5. Chương trình phản ứng tự động

• Đánh giá vòng đời chu kỳ tự động: Xác định độ bền và độ ổn định của vật liệu qua nhiều chu kỳ phản ứng.

• Quy trình phản ứng đa bước lập trình: Thực hiện các thí nghiệm phức tạp với các giai đoạn phản ứng được lập trình trước.

• Đa điểm nhiệt độ tự động: Tự động chuyển đổi và phân tích tại các mức nhiệt độ khác nhau.

Thông số kỹ thuật

• Dải nhiệt độ lập trình:

  • Từ nhiệt độ phòng (~298 K) đến 1473 K.

  • Tốc độ gia nhiệt/làm mát: 1 °C/phút đến 100 °C/phút.

• Hệ thống lò nung:

  • Hai lò nung nhiệt độ cao, tự động chuyển đổi giữa chế độ gia nhiệt và làm mát.

  • Hệ thống làm mát bằng không khí tích hợp với cảm biến nhiệt độ.

• Hệ thống khí phân tích:

  • Hỗ trợ 12 đường ống dẫn khí.

  • Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) cho 3 loại khí, hỗ trợ trộn khí phân tích.

  • Tương thích với khí và hơi không ăn mòn, ăn mòn (H₂, CO, O₂, NH₃, CO₂, v.v.).

• Áp suất vận hành:

  • Áp suất thường (0.1 MPa), tùy chọn áp suất cao: 1 MPa, 3 MPa, 10 MPa.

• Chuẩn độ xung:

  • Ống chuẩn 0.5 ml (tùy chọn 1 ml, 5 ml).

• Hệ thống chân không:

  • Bơm chân không tích hợp để loại bỏ khí dư, giảm độ trôi đường cơ sở.

• Bẫy lạnh:

  • Loại bỏ hơi nước và các thành phần có điểm sôi thấp, cải thiện độ chính xác phát hiện.

• Máy tạo hơi:

  • Tạo hơi cho các thí nghiệm hấp phụ hóa học đặc thù.

• Ống mẫu:

  • Ống thạch anh hình chữ U với ống tham chiếu nhiệt độ tích hợp (cảm biến nhiệt độ đồng môi trường với mẫu).

• Hệ thống điều nhiệt:

  • Hệ thống điều nhiệt kép cho mạch khí (313 K - 353 K) và TCD (333 K - 383 K).

• Bộ lấy mẫu:

  • Thể tích chuẩn 1 ml, tùy chọn các thể tích khác.

• Báo động an toàn:

  • Hai cảm biến phát hiện khí dễ cháy, giám sát thời gian thực.

• Máy dò:

  • Máy dò TCD với hai chế độ: độ nhạy cao và dải rộng.

  • Tùy chọn hệ thống phát hiện MS (Mass Spectrometry) và hồng ngoại (IR).

• Hỗ trợ nhiệt độ cực thấp:

  • Tùy chọn điều nhiệt và lập trình nhiệt độ thấp cho các thí nghiệm đặc biệt.

Ưu điểm kỹ thuật

1. Tự động hóa toàn diện:

   • Lò nung kép tự động chuyển đổi, không cần chờ làm mát, tối ưu hóa thời gian thí nghiệm.

   • Thực hiện chuỗi thí nghiệm đa bước và chu kỳ liên tục mà không cần can thiệp thủ công.

2. Độ chính xác cao:

   • Ống tham chiếu nhiệt độ đảm bảo kiểm soát và đo lường nhiệt độ chính xác.

   • Bơm chân không và bẫy lạnh giảm thiểu nhiễu từ khí dư và hơi nước.

3. Hiệu suất tối ưu:

   • Hệ thống làm mát bằng không khí tự động chuẩn bị nhanh cho thí nghiệm tiếp theo.

   • Hỗ trợ trộn 3 loại khí phân tích, đáp ứng các yêu cầu thí nghiệm phức tạp.

4. Độ bền và tin cậy:

   • Thiết kế chắc chắn, ít yêu cầu bảo trì, phù hợp cho môi trường nghiên cứu và công nghiệp.

5. Tính linh hoạt:

   • Tương thích với nhiều loại chất hấp phụ (khí, hơi ăn mòn/không ăn mòn).

   • Hỗ trợ áp suất cao và nhiệt độ cực thấp, mở rộng phạm vi ứng dụng.

Ứng dụng

• Nghiên cứu xúc tác: Phân tích đặc tính xúc tác trong reforming, hydro hóa, oxy hóa, và lưu huỳnh hóa.

• Vật liệu nano: Đánh giá tính chất bề mặt và khả năng hấp phụ của vật liệu nano.

• Công nghệ môi trường: Nghiên cứu vật liệu hấp phụ để xử lý chất ô nhiễm (VOCs, kim loại nặng).

• Công nghiệp hóa dầu: Tối ưu hóa xúc tác trong cracking, isomer hóa, và sản xuất nhiên liệu sạch.

Kết luận

Máy phân tích hấp phụ hóa học tự động BSD-Chem C200 là giải pháp lý tưởng cho các phòng thí nghiệm và cơ sở công nghiệp đòi hỏi phân tích chính xác, tự động và hiệu quả. Với các tính năng tiên tiến, khả năng tùy chỉnh cao, và độ tin cậy vượt trội, thiết bị này đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe trong nghiên cứu và ứng dụng công nghiệp.